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球探比分即时足球比分竞彩足球比分足彩比分直播:FDS6900AS双N沟道MOSFET

时间:2019-3-14, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

球探比分即时足球比分竞彩足球比分足彩比分直播 www.fdnax.tw FDS6900AS设计用于替代同步DC:DC电源中的两个单通道SO-8 MOSFET和肖特基二极管,为笔记本电脑和其他电池供电电子器件提供各种外设电压。 FDS6900AS包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET,旨在最大限度地提高功率转换效率。 高端开关(Q1)的设计特别强调降低开关损耗,而低端开关(Q2)则强调降低导通损耗。 Q2还包含使用飞兆的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

产品详情

PowerTrench®SyncFET™双MOSFET,飞兆半导体旨在最大限度地降低功率转换损耗,同时保持出色的开关性能高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)SyncFET™,从高效的肖特基体二极管中受益同步整流DC-DC转换器,电机驱动器,网络负载点应用低侧开关MOSFET晶体管,飞兆半导体

飞兆半导体提供大量MOSFET器件,包括高压(> 250V)和低压(<250V)类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,并将其集成到多个行业标准和热增强型封装中。

飞兆半导体MOSFET提供卓越的设计可靠性,包括降低电压尖峰和过冲,降低结电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部元件,从而延长系统的运行时间。

属性

频道类型ñ

最大连续漏极电流6.9 A,8.2 A

最大漏极源电压30 V

最大漏极源电阻22mΩ,27mΩ

最小门限阈值电压1V

最大栅极源电压-20 V,+ 20 V.

包装类型SOIC

安装类型表面贴装

晶体管配置系列

针数8

频道模式增强

类别功率MOSFET

最大功耗2瓦

宽度3.99毫米

外形尺寸5 x 3.99 x 1.5mm

长度5毫米

最低工作温度-55°C

典型的栅极电荷@ Vgs10 nC @ 10 V,11 nC @ 10 V.

典型输入电容@ [email protected] 15 V时为570 pF,15 V时为600 pF

最高工作温度+ 150°C

典型的开启延迟时间10 ns,11 ns

系列PowerTrench,SyncFET

高度1.5毫米

晶体管材料硅

每个芯片的元素数量2

典型的关闭延迟时间23 ns,26 ns

引脚图

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